Google Píxel View smartwatch revelat o com es podia, abans de llarga es converteixi en una realitat, com indica uns vessada cercles del gadget.
És estrany, però, ja que el desenvolupament de l'smartwatch mercat, Google no té cap avall per treballar amb qualsevol gadget de la seva pròpia. De fet, és disponible, però ho ha fet com a tals per la compra de Fitbit i unir forces amb el Samsung per desenvolupar encara més el Desgast de l'OS.

No obstant això, el Píxel Veure sembla ser que en poc temps serà una realitat, ja que de tant en tant, tamisat imatges mostren pel que fa a la seva aparença i aspecte, com el costum marca que tindria.

Tal com consta en el seu Telèfon Àmbit de la premsa rosa de 9to5google, noves imatges d'un petit tros de la Píxel Veure la programació han mostrat i es va imaginar que aquests són uns cercles que el gadget s'han accessible pel que fa al mercat.

Google Píxel View smartwatch revelat

A més a més, és una coberta, encara que sembla ser que 10 diferents cercles s'han trobat dins els documents que el Desgast de l'OS 3 emulador que Google va lliurar un temps per permetre als dissenyadors fer aplicacions per al producte que es va lliurar.

Un d'ells té el Fitbit logotip, mentre que el 2 d'ells semblen ser com els vistos en cap a dins formes de l'Píxel Veure que es van publicar recentment.

Google Píxel View smartwatch revelat

És típic d'acceptar que aquests countenances podria ser accessibles en els gadgets de Fitbit i Google o que podrien ser aïllats en 2 i mostrar-se a l'sense cap mena de dubte smartwatch de la Vista sobre la Muntanya organització.

En 9to5google que han arribat en els vídeos i imatges que aquests cercles podria assemblar-se, i es pot percebre com es veuen sense problemes.

Hi ha diferents tipus: des d'una mica més d'imaginació i de moderada a diferents cercles carregat de matisos, tot i que amb un estil que realment s'adapti a l'organització de Vista sobre la Muntanya.

Google Píxel View smartwatch revelat

Més notícies:

IBM i Samsung garantir que els seus nou xip pot presentar a set dies de la bateria dels telèfons mòbils

Sembla ser que va a través del carregador té els dies comptats o més aviat fer-ho de forma coherent o 2 dies, condicionada a l'gadget que tenim amb vostè.

IBM i Samsung han informat totalment cal destacar el pla d'un semiconductor que com a oposició a l'apilament de semiconductors en la seva capa exterior, el que fa és apilar-los en una direcció ascendent.
També com es fa això de moure's en aquesta realitat actual? Molt senzill: sembla ser que en realitat es vol desenvolupar l'energia utilització de telèfons mòbils i que tenien l'opció de suportar tant de temps com set dies sense passar pel carregador.

El nou pla de Transport Vertical Efecte de Camp Transistors (VTFET) és la substitució de l'actual FinFET innovació que s'utilitza en l'absoluta majoria progressista fitxes en el negoci i podria permetre fer-ne fitxes amb un major gruix de semiconductors que hi ha ara mateix.

Amb aquest nou model, el corrent corrent de tot el semiconductor pila contraposició a l'exterior a banda, un mètode que és per tots els comptes de manera més productiva.
És, a més, un fet que aquest ha estat un projecte coherent avançar cap endavant. En el punt en què et quedes de maneres d'incloure més fitxes d'un avió, la principal genuïna capítol amunt (o avall).

Com La Verge crida l'atenció, estem encara lluny d'aquesta innovació ser utilitzats en genuí comprador xips, però les dues entitats aclarir que VTFET fitxes podria oferir un "2 vegades més notable millora en execució o un 85% de disminució en l'ús d'energia" en contrast amb la innovació.

Sigui com sigui, com vostè pot imaginar, la cosa no és sobre la millor utilització de l'energia, però més aviat són molt aspirants amb allò que ells poden fer i punt cap al digital diners de la mineria, de la informació xifrat amb una menor utilització de l'energia, la més impressionant IoT gadgets o espai de l'aparell.

IBM ha ara per ara mostren la seva primera 2nm xip recentment, que té una alternativa de curs cap a pastar més semiconductors mitjançant l'ampliació de la suma que es pot posar en un xip a la utilització de l'actual FinFET pla.

No obstant això, VTFET significaria prendre les coses més, malgrat el fet que presumiblement ser considerablement més temps abans de veure fitxes depèn de la innovació més recent d'IBM i Samsung en el planeta.

Òbviament, són per tots compte no només les organitzacions que es veuen amb ingressos per aquesta innovació. Intel, per exemple, va veure la seva imminent RibbonFET pla, un otherworldly substitució per FinFET que es desitja enviar a la creació en el 2024.